W97AH6NBVA1E TR
![গুণ [#varpname#] কারখানা](/images/load_icon.gif){kind=icon}
উত্পাদক:
উইনবন্ড ইলেকট্রনিক্স
বর্ণনা:
আইসি ড্রাম 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
শ্রেণী:
স্মৃতি
বিশেষ উল্লেখ
শ্রেণী:
ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC)
স্মৃতিশক্তি
স্মৃতিশক্তি
মেমরি সাইজ:
1 জিবিট
পণ্যের অবস্থা:
সক্রিয়
মাউন্ট টাইপ:
পৃষ্ঠের মাউন্ট
প্যাকেজ:
টেপ ও রোল (টিআর)
সিরিজ:
-
DigiKey প্রোগ্রামেবল:
যাচাই করা হয়নি
মেমরি ইন্টারফেস:
HSUL_12
সাইকেল সময় লিখুন - শব্দ, পৃষ্ঠা:
15ns
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:
134-ভিএফবিজিএ (10x11.5)
মেমরি টাইপ:
উদ্বায়ী
এমএফআর:
উইনবন্ড ইলেকট্রনিক্স
ঘড়ির ফ্রিকোয়েন্সি:
533 মেগাহার্টজ
ভোল্টেজ - সরবরাহ:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
প্যাকেজ / কেস:
১৩৪-ভিএফবিজিএ
মেমরি সংস্থা:
64M x 16
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-40°C ~ 85°C (TC)
প্রযুক্তি:
SDRAM - মোবাইল LPDDR2-S4B
বেস প্রোডাক্ট নম্বর:
W97AH6
মেমরি বিন্যাস:
DRAM
পরিচিতি
SDRAM - মোবাইল LPDDR2-S4B মেমরি IC 1Gbit HSUL_12 533 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
সম্পর্কিত পণ্য
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: