R1WV6416RBG-5SI#B0
![গুণ [#varpname#] কারখানা](/images/load_icon.gif){kind=icon}
উত্পাদক:
রেনেসাস
বর্ণনা:
R1WV6416RBG-5SI - নিম্ন শক্তির SRAM
শ্রেণী:
স্মৃতি
বিশেষ উল্লেখ
শ্রেণী:
ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC)
স্মৃতিশক্তি
স্মৃতিশক্তি
পণ্যের অবস্থা:
পুরনো
মাউন্ট টাইপ:
পৃষ্ঠের মাউন্ট
প্যাকেজ:
বাল্ক
সিরিজ:
-
মেমরি ইন্টারফেস:
সমান্তরাল
সাইকেল সময় লিখুন - শব্দ, পৃষ্ঠা:
55ns
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:
৪৮-TFBGA (৮.৫x১১)
মেমরি টাইপ:
উদ্বায়ী
এমএফআর:
রেনেসাস
মেমরি সাইজ:
64Mbit
ভোল্টেজ - সরবরাহ:
2.7V ~ 3.6V
প্যাকেজ / কেস:
48-TFBGA
মেমরি সংস্থা:
4M x 16, 8M x 8
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-40°C ~ 85°C (TA)
প্রযুক্তি:
SRAM - অ্যাসিঙ্ক্রোনাস
প্রবেশাধিকার সময়:
55 এনএস
মেমরি বিন্যাস:
এসআরএএম
পরিচিতি
এসআরএএম - অ্যাসিনক্রোন মেমরি আইসি 64 এমবিট প্যারালাল 55 এনএস 48-টিএফবিজিএ (8.5x11)
সম্পর্কিত পণ্য
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: