R1LV0108ESA-5SI#B1
![গুণ [#varpname#] কারখানা](/images/load_icon.gif){kind=icon}
উত্পাদক:
রেনেসাস
বর্ণনা:
R1LV0108E - 1Mb উন্নত LPSRAM
শ্রেণী:
স্মৃতি
বিশেষ উল্লেখ
শ্রেণী:
ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC)
স্মৃতিশক্তি
স্মৃতিশক্তি
পণ্যের অবস্থা:
সক্রিয়
মাউন্ট টাইপ:
পৃষ্ঠের মাউন্ট
প্যাকেজ:
বাল্ক
সিরিজ:
R1LV0108E
মেমরি ইন্টারফেস:
সমান্তরাল
সাইকেল সময় লিখুন - শব্দ, পৃষ্ঠা:
55ns
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:
32-TSOP I
মেমরি টাইপ:
উদ্বায়ী
এমএফআর:
রেনেসাস
মেমরি সাইজ:
1 এমবিট
ভোল্টেজ - সরবরাহ:
2.7V ~ 3.6V
প্যাকেজ / কেস:
32-TFSOP (0.465", 11.80mm প্রস্থ)
মেমরি সংস্থা:
128K x 8
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-40°C ~ 85°C (TA)
প্রযুক্তি:
SRAM - অ্যাসিঙ্ক্রোনাস
প্রবেশাধিকার সময়:
55 এনএস
মেমরি বিন্যাস:
এসআরএএম
পরিচিতি
এসআরএএম - অ্যাসিনক্রোন মেমরি আইসি 1 এমবিট সমান্তরাল 55 এনএস 32-টিএসওপি আই
সম্পর্কিত পণ্য
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: