W66BM6NBUAFJ TR
![গুণ [#varpname#] কারখানা](/images/load_icon.gif){kind=icon}
উত্পাদক:
উইনবন্ড ইলেকট্রনিক্স
বর্ণনা:
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
শ্রেণী:
স্মৃতি
বিশেষ উল্লেখ
শ্রেণী:
ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC)
স্মৃতিশক্তি
স্মৃতিশক্তি
মেমরি সাইজ:
2 জিবিট
পণ্যের অবস্থা:
নতুন ডিজাইনের জন্য নয়
মাউন্ট টাইপ:
পৃষ্ঠের মাউন্ট
প্যাকেজ:
টেপ ও রোল (টিআর)
সিরিজ:
-
DigiKey প্রোগ্রামেবল:
যাচাই করা হয়নি
মেমরি ইন্টারফেস:
LVSTL_11
সাইকেল সময় লিখুন - শব্দ, পৃষ্ঠা:
18ns
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:
200-WFBGA (10x14.5)
মেমরি টাইপ:
উদ্বায়ী
এমএফআর:
উইনবন্ড ইলেকট্রনিক্স
ঘড়ির ফ্রিকোয়েন্সি:
1.6 GHz
ভোল্টেজ - সরবরাহ:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
প্রবেশাধিকার সময়:
3.5 এনএস
প্যাকেজ / কেস:
200-WFBGA
মেমরি সংস্থা:
128M x 16
অপারেটিং তাপমাত্রা:
-40°C ~ 105°C (TC)
প্রযুক্তি:
SDRAM - মোবাইল LPDDR4X
বেস প্রোডাক্ট নম্বর:
W66BM6
মেমরি বিন্যাস:
DRAM
পরিচিতি
SDRAM - মোবাইল LPDDR4X মেমরি IC 2Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA (10x14.5)
সম্পর্কিত পণ্য
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| ছবি | অংশ # | বর্ণনা | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
RFQ পাঠান
স্টক:
MOQ: